RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
51
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
23
Velocità di lettura, GB/s
9.8
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
4015
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link