RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
51
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
23
Velocità di lettura, GB/s
9.8
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
4015
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link