RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
1970
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link