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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
9.8
12.2
写入速度,GB/s
8.1
5.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
1970
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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