RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2493
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link