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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3391
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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