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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
51
Autour de -34% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
38
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2107
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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