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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
9.8
9.3
写入速度,GB/s
8.1
6.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2107
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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