Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Note globale
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Note globale
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    43 left arrow 51
    Autour de -19% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.4 left arrow 9.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.5 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    51 left arrow 43
  • Vitesse de lecture, GB/s
    9.8 left arrow 11.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 9.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2208 left arrow 2532
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons