RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
51
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
43
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2532
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link