RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
51
Autour de -155% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
20
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3404
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link