RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3404
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link