RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
51
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
40
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2340
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link