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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
51
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
40
读取速度,GB/s
9.8
13.8
写入速度,GB/s
8.1
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2340
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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