RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
51
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2768
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link