RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2768
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link