RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
56
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
56
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2761
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link