RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3090
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link