RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
58
Autour de 16% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
58
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
1740
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5428-042.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link