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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
58
左右 16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
58
读取速度,GB/s
10.2
13.8
写入速度,GB/s
8.1
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
1740
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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