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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
49
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2817
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 992015 (997015) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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