RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2817
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link