RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3288
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link