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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2502
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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