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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

总分
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

总分
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 49
    左右 -40% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    10.2 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 9.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2465 left arrow 2502

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较

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