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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
差异
规格
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
45
左右 -125% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
20
读取速度,GB/s
12.3
18.5
写入速度,GB/s
8.0
14.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2965
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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