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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
3124
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston KHX2666C15/8G 8GB
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