RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
52
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2616
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link