RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
52
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2910
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link