RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
52
Autour de -126% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
4173
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link