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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
52
Por volta de -126% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
18.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
4173
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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