RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
52
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2585
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link