RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
52
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
1338
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link