RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3092
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link