RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3395
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link