RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2605
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link