RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
81
Autour de 68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
81
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1554
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link