RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
81
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
81
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1554
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link