RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2660
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link