RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2660
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link