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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
71
左右 -209% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
23
读取速度,GB/s
2,831.6
15.5
写入速度,GB/s
1,322.6
12.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2660
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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