RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3466
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link