RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
44
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3568
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link