RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3568
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link