RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
44
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3000
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link