Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

Note globale
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    44 left arrow 73
    Autour de 40% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.8 left arrow 11.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    44 left arrow 73
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.2 left arrow 15.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 8.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2293 left arrow 1822
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons