RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
49
Autour de -188% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
17
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3731
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link