RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
49
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3911
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link