RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2595
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link