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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
26
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2939
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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