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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
49
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2353
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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